电子元器件—场效应管

晶体管放大电路是一种利用输入电流控制输出电流，从而达到电流和电压放大的目的，即从基极注入较小的电流，直接控制集电极的电流，称为电流控制装置。场效应晶体管利用输入电压产生的场效应来控制输出电流，称为电压控制装置。.场效应晶体管特性介绍 场效应晶体管和晶体管是半导体放大器件，但场效应晶体管和晶体管具有以下特点：1）晶体管为电流控制器件，工作时必须有一定的输电电流，场效应晶体管不取电流，只需有一定的工作电压。2）场效应晶体管输入电阻高，无论如何都达不到这个水平。3）场效应晶体管对温度敏感性小，即温度稳定性好；晶体管对温度敏感性大，集电极电流受温度变化影响大，温度稳定性差。4）场效应晶体管噪声系数低，因此在需要低噪声放大的电路中，场效应晶体管一般用作放大电路。5）场效应晶体管种类繁多，比晶体管更灵活、更方便。MOS现场效应晶体管生产工艺简单，功耗低，散热方便。由于现场效应晶体管比晶体管具有上述优点，因此现场效应晶体管广泛应用于高频、低噪声的电路中。.场效应晶体管分类 场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和边格场效应晶体管1）结型场效应晶体管N晶体管和P晶体管有两种类型的沟道耗尽场效应。2)绝缘格栅场效应晶体管:也可分为绝缘格栅N晶体管具有沟道增强场效应；绝缘概型N沟道耗尽型场效应晶体管;绝缘栅型P晶体管具有沟道增强场效应；绝缘概型P场效应晶体管有四种类型道耗尽型。3)场效应晶体管的图形符号如下图所示。

从图中可以看出，场效较体管有三个引出极G、源极s、漏极D,它们的作用相当于晶体管中的基极B、发射极E、集电极C。由于结型管的源极S和漏极D这两个电极在制造过程中是对称的，在实际应用中可以对换(源极和衬底没有连接)。

3.场效应晶体管的文字符号与普通晶体三极管相同，常用VT（旧符号为BG）或V这意味着图形符号经常写在电路图上。如果电路图中有多个类似的组件，按照常规，将数字标记在文本的后面或右下角，以显示差异VT1、VT2-在文字符号的下方，一般标记场效应晶体管的型号。

4.有两种型号命名

第一种命名方法与双极三极管相同，第三个字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟通。例如，3DJ6D是结型P沟场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号的不同规格。CS14A、CS45G等。

5.检测现场效应管（N沟道）

1)用数字万用表电阻档测量栅极和漏检、栅极和源极的正反向电阻应无限大。

2)测量漏极和源极电阻的正向电阻值无限大，反向电阻值(二极管特性)。

3)正向电压(阀值电压)加在栅极和源极，不同型号的场效应管阈值电压值不同，参考6-18伏。

4)漏极和源极电阻的测量应为导通状态值。

5)在栅极和源极加反向电压关闭场效应管中，开路状态值应测量漏极和源极电阻。